周一，内存和存储供应商美光(Micron)宣布，其新的176层3D NAND(大多数ssd的存储介质)工艺正在生产中，并已开始向客户发货。新技术应该提供更高的存储密度和写入耐力，更好的性能和更低的成本。

Replacement-gate架构

置换门结构消除了细胞之间的间隙和这些间隙必然引起的意外电容效应。

微米

新的NAND工艺是美光的第五代NAND和第二代替换门架构，沐鸣开户测速取代了美光和英特尔过去使用的较早的浮动门架构。在传统的浮动栅极中，绝缘体隔离单个单元，这导致单元间的电容不理想。

美光的置换门结构将多个电池构建到一个单独的绝缘结构中，几乎消除了电池间的电容，并(根据美光的说法)提高了写入耐力、功率效率和性能。该公司尚未提供量化这些索赔的具体基准。

增加层数

新的3D NAND工艺在每个芯片中构建了更多的单元层，提供了更大的存储密度、更低的访问延迟和更好的电源效率。参考一下，美光目前的浮栅NAND可提供96层，其上一代替换栅NAND可提供128层，Western Digital的BiCS5 3D NAND工艺可提供112层。

层数的增加意味着在存储单元数相同的情况下，模具尺寸显著减小。美光称，这种新芯片比同类产品的芯片尺寸缩小了30%。这使得更高的存储容量在较小的形状因素更实际。

我们应该清楚的是，在这里，小尺寸因素增加存储的实用性意味着非常小的尺寸因素，如M.2 NVME驱动器和集成eMMC存储。尽管消费者习惯了传统磁盘比ssd的容量大，但限制是成本，而不是容量。存储供应商Nimbus两年多前开始销售传统3.5英寸硬盘规格的100TB固态硬盘;与此同时，西部数据今年7月才开始销售20TB的传统硬盘。

除了增加面积密度外，美光科技还表示，新工艺在读写延迟方面都有显著改善——与目前的浮动栅NAND相比提高了35%，与第一代置换栅NAND相比提高了25%。

这里最大的性能指标并不是市场营销部门所青睐的典型的大量数据的选择，也就是说，沐鸣开户测速在理想条件下，一个驱动器可以达到的绝对最高速度。更重要的是，它们意味着更好的服务质量(QoS)——换句话说，即使在不理想的工作负载和条件下，速度也更一致。

美光最近改进的延迟也意味着低端的性能更好——换句话说，4KiB或更小的块大小的操作，它们不会在大规模并行工作负载中进行。

这对消费者和企业意味着什么

如果美光所宣称的大幅提高写耐力的说法得以实现，那么在苛刻的应用程序中，用更便宜的3D NAND设备取代昂贵的SLC(单级单元)企业/数据中心ssd可能成为可能。与此同时，假设每个晶圆的制造成本没有大幅增加，大约三分之一的存储密度增加可能意味着同样更便宜的消费设备。

我们并不认为这将为传统硬盘驱动器敲响丧钟。即使在最好的情况下，也不增加生产成本，无论如何，这将使每tb TLC NAND的成本在85美元左右。传统硬盘驱动器每TB的成本约为27美元，因此在价格方面，两种技术之间仍有很大差距